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汉阳大学研究人员实现对半导体晶体初始形成位置的控制

汉阳大学及合作机构研究人员开发出一种名为EF-SCN的方法,可引导二维半导体单晶在预设区域中心开始生长,在400个位置上实现超过99%的单晶生长。研究团队还展示了该方法在MoS₂生长、低温制备及晶体管集成方面的潜力。……