三星电子将在美国得克萨斯州泰勒市的新晶圆代工厂为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计本月正式动工，全部产能已获得订单，主要来自AMD。工厂将采用先进的2纳米制程技术，占地约270万平方英尺，规模为三星首座工厂的1.5倍。首座工厂已与特斯拉签订合同，预计新厂将于2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。
三星电子将在美国得克萨斯州泰勒市的新晶圆代工厂为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该工厂预计本月正式动工，全部产能已获得订单，主要来自AMD。工厂将采用先进的2纳米制程技术，占地约270万平方英尺，规模为三星首座工厂的1.5倍。首座工厂已与特斯拉签订合同，预计新厂将于2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。
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